Kioxia e Sandisk annunciano l’avvio dell’attività di Fab2 presso lo stabilimento giapponese di Kitakami per soddisfare la domanda di mercato trainata dall’IA
Kioxia Corporation , un’affiliata Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A), e Sandisk Corporation (NASDAQ: SNDK) oggi hanno annunciato l’avvio dell’attività di Fab2 (K2), un impianto all’avanguardia per la produzione di dispositivi a semiconduttori, presso lo stabilimento di Kitakami nella prefettura di Iwate, in Giappone. Fab2 è in grado di produrre la memoria flash 3D a 218 strati di ottava generazione, integrando la rivoluzionaria tecnologia CBA (CMOS directly Bonded to Array) delle due aziende, oltre a futuri nodi avanzati di memoria flash 3D per rispondere alla crescente domanda di capacità di archiviazione generata dall’IA. La capacità produttiva di Fab2 aumenterà gradualmente nel tempo, in linea con l’andamento del mercato, con una produzione significativa prevista a partire dal primo semestre del 2026.
Questo comunicato stampa include contenuti multimediali. Visualizzare l’intero comunicato qui: https://www.businesswire.com/news/home/20250929256400/it/

Kitakami Plant
Il testo originale del presente annuncio, redatto nella lingua di partenza, è la versione ufficiale che fa fede. Le traduzioni sono offerte unicamente per comodità del lettore e devono rinviare al testo in lingua originale, che è l'unico giuridicamente valido.
Vedi la versione originale su businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20250929256400/it/
Referenti Kioxia
Investitori: kioxia-ir@kioxia.com
Media: kioxia-hd-pr@kioxia.com
Referenti Sandisk
Investitori: investors@sandisk.com
Media: mediainquiries@sandisk.com
La responsabilità editoriale e i contenuti di cui al presente comunicato stampa sono a cura di Business Wire
Riproduzione riservata © Giornale di Brescia
Iscriviti al canale WhatsApp del GdB e resta aggiornato