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Dow presenta il gel siliconico DOWSIL™ EG-4175 e porta l'elettronica di potenza con livelli di tensione superiore nei veicoli elettrici e nelle tecnologie delle rinnovabili

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Dow (NYSE: Dow) oggi ha lanciato il gel siliconico DOWSIL™ EG-4175 , una soluzione protettiva ad alto grado di affidabilità per i moduli di transistor bipolari a gate isolato (IGBT) di prossima generazione che funzionano con tensioni più elevate. Questo nuovo materiale avanzato resiste alle temperature più alte associate a questi IGBT e offre maggior affidabilità, meno perdite di potenza e più efficienza elettrica nelle batterie dei veicoli elettrici (EV) e negli inverter per i pannelli fotovoltaici (PV) e le turbine eoliche.

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DOWSIL™ EG-4175 Silicone Gel is a protective solution, for next-generation insulated gate bipolar transistor (IGBT) modules, that withstands temperatures up to 180°C. This innovative gel from Dow supports greater reliability, lower power losses and higher power efficiencies in high-voltage power electronics for electric vehicles and renewable energy applications.

DOWSIL™ EG-4175 Silicone Gel is a protective solution, for next-generation insulated gate bipolar transistor (IGBT) modules, that withstands temperatures up to 180°C. This innovative gel from Dow supports greater reliability, lower power losses and higher power efficiencies in high-voltage power electronics for electric vehicles and renewable energy applications.

Il nuovo gel siliconico DOWSIL™ EG-4175 di Dow supporta temperature fino a 180°C e amplia il crescente portafoglio di soluzioni targate Dow destinate all'elettronica di potenza.

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Contatto per ulteriori informazioni:

Eileen Zeng, Dow
+86 21 3851 1604
eyzeng@dow.com

Amanda Berrian, AH&M Inc.
+1 413-329-6887
aberrian@ahminc.com



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